第162章 军工需求

　　 “过去我们也找过国内的几个研究所，他们都没有办法解决这个问题，给出的方案体积大不说，功耗也出奇的高。

　　 当我们实测你们的主板总功耗和CPU的功耗，发现功耗远远低于我们的预期。而且让我们更为惊奇的是，CPU的集成度非常高。

　　 冒昧问一句，你们CPU的集成度到底有多高？”，这就是搞技术的通病，容易被技术细节带偏。

　　 “多个晶体管”，这也没有什么好保密的。

　　 “丝”二人齐齐吸了一口冷气，他们一直在了解半导体动态，知道目前最高的集成度才2000多个晶体管，没想到国内居然如此超前。

　　 这让他们更有信心。

　　 “李工，我们的需求只能靠您了”，年轻的肖兵语气激动地说道，看那神情，恨不得扑上来拥抱李国成，吓得李国成一激灵。

　　 “说说具体的需求”，李国成赶忙转到正题上。

　　 “重新设计主板，把不需要的器件去掉，功耗最好控制在10W以内，5V供电，需要预输入弹道信息，接口要简单。当然控制用计算机也得重新设计。”

　　 “曙光103型就可以，不用重新设计，已经预留了接口。至于弹载计算机，现在的结构肯定不行，硬盘接受不了那么大的加速度”。

　　 “一看您就是行家，现在知道加速度的人可不多”，肖兵兴奋的说道。

　　 “我也是书看得多”，说漏嘴的李国成赶忙补救。

　　 “还有其他需求吗？”，李国成问道。

　　 “暂时没有了”，二人说道。

　　 “我不敢保证一定行，但是我们试得实现，三个月吧，到时我们再讨论一下最终方案”，李国成给出了一个保守的时间。

　　 二人互相看来一眼，满眼的惊喜。

　　 看到二人的眼神后，李国成知道自己时间报少了，他忽略了这个时代研发的艰难性。看来以后实现和交付时要多说一点时间。

　　 看来必须要研究FLASH技术了，以后工业和军工对微电脑的需求会越来越急迫。

　　 二人心满意足的离开了轧钢厂。

　　 “小李，大胆去做，到时做不到也没有关系，毕竟那么多研究所都搞不定”，李怀德拍了拍李国成的肩膀，安慰道。

　　 “好的，主任，我会尽力”。

　　 “我们厂能够接受军方订单，那意味为我们轧钢厂加了一道保险，只要不出重大质量或安全问题，以后10~20年轧钢厂就会高枕无忧”。

　　 研究所的人离开后，李怀德现在才释放出他内心的激动。边在房间里走动，边挥舞着右手，左手却擦在腰上。

　　 他没有说出的是，只有半导体实验室在，只要李国成在，他的官途也是一片坦途。

　　 回到实验室的李国成陷入了深思。

　　 后世非易失性存储器的发展思路，是从PROM开始，到EPROM，再到现在的EEPROM。

　　 PROM只能写入一次。

　　 EPROM可通过特定强度的紫外线照射芯片使其还原。就是大家见过的，在芯片的表面开一个窗口，用于紫外线擦除。

　　 EEPROM是电可擦写只读存储器，是现在的主流应用，NOR FLASH和NAND FLASH归类到这个大类里。

　　 NOR FLASH读取速度快，单位成本高，可直接运行代码，更偏向于片内代码存储。

　　 NAND FLASH容量大，读取速度较慢，单位成本低，更偏向于大容量存储，但是容易出错，需要配合安全算法。

　　 U盘就是NAND FLASH。

　　 前身上大学的时候学习过PMOS、NMOS和浮栅MOS的制造原理，对PROM和EPROM没有了解。而且既然知道后世的发展方向，所以李国成选择直接研究NOR FLASH。

　　 主要的原因是NOR FLASH更适合放入芯片内部，以后芯片内部直接设计程序存储FLASH。

　　 FLASH原理比较简单，在G极和D/S沟道之间加入一个浮栅，浮栅类似一个被绝缘体包裹的电极，在浮栅上注入电荷，D/S沟道导通，代表‘0’；放电，D/S沟道关闭，代表‘1’。

　　 因为浮栅绝缘，所以电荷不易丢失。

　　 李国成之前没有选择研究FLASH，主要原因是对如何在PMOS上植入一个浮栅没有思路，但是现在绕不过去，只能硬着头皮上了。

　　 接下来的时间，李国成主要的工作就是研究如何植入浮栅。

　　 李国成构思了几个方案，脑海仿真不通过放弃了3个，剩下两个实际生产中放弃。

　　 生产放弃的比如封装时植入绝缘层，然后再植入一个电极。实际操作时，无法满足工业化生产，工序太复杂，对人的操作能力要求太高。

　　 时间很快就过去10天，无计可施的李国成溜达到光刻间，看着张头正在氧化晶圆。看着看着，突然笑了起来，真是得了全不费功夫。

　　 二次氧化就能完美地解决这个问题，工业化生产工艺也成熟，只是增加一道氧化工序。

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